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X 射線光電子能譜檢測

  • 更新時間:  2021-03-15
  • 產品型號:  
  • 簡單描述
  • 1. 該系統通過測量不同元素的芯能級,能夠實現高精度的元素和價態分析。
    2. 該系統使用X-射線作為光源,能夠采集較大束縛能范圍的光電子能譜數據,實現對材料電子結構的完整表征。
    3. 該系統具備微區分析功能,可以針對微米級別的特定區域開展元素組分與電子結構分析,是目前觀測薄膜樣品元素和價態分布,進而探索其生長機理的工具之一
    X 射線光電子能譜檢測
詳細介紹

X 射線光電子能譜檢測

 

項目

細則

收費

說明

手套箱進樣

空氣敏感樣品測試

400元/樣

/

XPS譜圖測試

寬譜和窄譜的掃描

寬譜:280 元/樣; 窄譜:140 元/樣

每超過30min 按 新樣算

XPS成像測試

選區和成像掃描 測試時間≤1h

840元/樣

每超過1h 按 1 個新樣算

深度剖析

Ar 離子刻蝕加元素窄 掃或成像

每層按 2 個樣算 +150 元/次刻蝕費

刻蝕時間 5min/次

 

X 射線光電子能譜檢測

 

主要規格及技術指標

1、本底真空度優于5*10-10mbar;

2、單色化AlKαX射線源,光斑尺寸200-900um,大光斑極限分辨率0.43eV;

3、XPS能譜分析尺寸20-900um,平行成像精度1um;

4、雙極性半球形分析器,可采集ISS離子散射譜,能量分辨率優于12eV;

5、配備同軸/離軸雙電子槍,可用于磁性和非磁性絕緣樣品的荷電中和測量,能量分辨率0.68eV;

6、配有Ar離子刻蝕和團簇離子刻蝕,可用于不同敏感性材料的深度剖析;

7、配有反射電子能量損失譜(REELS),可用于氫元素的定量分析;

8、配有俄歇光電子能譜分析(AES),空間分辨率可達95nm,并能夠實現相應的形貌表征功能(SEM)。

 

 主要功能及特色

1. 該系統通過測量不同元素的芯能級,能夠實現高精度的元素和價態分析。
2. 該系統使用X-射線作為光源,能夠采集較大束縛能范圍的光電子能譜數據,實現對材料電子結構的完整表征。
3. 該系統具備微區分析功能,可以針對微米級別的特定區域開展元素組分與電子結構分析,是目前觀測薄膜樣品元素和價態分布,進而探索其生長機理的工具之一

 

主要附件配置

1、單色化AlKαX射線源,光子能量1486.6eV;

2、雙極性半球形分析器,可采集ISS離子散射譜,用于超薄表面的元素鑒定和同位素鑒定;
3、配備同軸/離軸雙電子槍,可用于磁性和非磁性絕緣樣品的荷電中和測量;
4、配有Ar離子刻蝕和團簇離子刻蝕,可用于不同敏感性材料的深度剖析;
5、配有反射電子能量損失譜(REELS),可用于H元素的分析;
6、配有俄歇光電子能譜分析(AES),空間分辨率可達95nm,并能夠實現相應的形貌表征功能(SEM);

7、配有角分辨ARXPS,用于10nm以內各深度的無損XPS分析。


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